如何選擇集成電路芯片高低溫試驗(yàn)箱

1.產(chǎn)品名稱

高低溫試驗(yàn)箱

2.產(chǎn)品型號(hào)

SMC-40PF

3.試樣限制

本試驗(yàn)設(shè)備禁止：

①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

②腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

③生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

④強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存

4.容積、尺寸和重量

4.1.標(biāo)稱內(nèi)容積

40L

4.2.內(nèi)型尺寸

W345*H395*D300mm

4.3.外型尺寸

W580*H850*D1150mm

4.4.重量

約180㎏

5.性能

5.1.測(cè)試環(huán)境條件

5.2.測(cè)試方法

環(huán)境溫度為+25℃、相對(duì)濕度≤85%、試驗(yàn)箱內(nèi)無(wú)試樣條件下

GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備。

5.3.溫度范圍

-40℃→+150℃（可任意設(shè)定）

5.4.濕度范圍

20%RH→98%RH （可任意設(shè)定）

5.5.溫度波動(dòng)度

±0.5℃

5.6.濕度波動(dòng)度

±1%

5.7.溫度偏差

±1.0℃

5.8.濕度偏差

±3%RH

5.9.升溫時(shí)間

升溫時(shí)間:+20℃~+150℃≤35min(非線性空載,升溫速率3~5℃)

5.10.降溫時(shí)間

降溫時(shí)間:+20℃~-40℃≤55min(非線性空載，降溫速率1~1.2℃)

5.11.負(fù)載情況

空載

5.12.滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

①GB/T 2423.1-2006 試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法

②GB/T 2423.2-2006 試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法

③GJB 150.3-1986   高溫試驗(yàn)

④GJB 150.4-1986   低溫試驗(yàn)

⑤IEC68-2-1 試驗(yàn)A：寒冷.

⑥GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》

⑦GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法》.

⑧GB/T10586-89  濕熱試驗(yàn)箱條件

⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93  濕熱試驗(yàn)箱條件